삼성전자, 2017년에는 15nm DRAM 메모리 양산 예상

삼성전자가 올해에 이어 내년에도 DRAM 메모리 시장 공정 전환을 앞당길 것으로 알려졌다.

소식을 전한 사이트는 삼성전자가 올해 초 18nm DRAM 양산을 발표했는데 올해를 이어 2017년에도 15-16nm 공정 DRAM 양산을 경쟁사에 앞서 공개할 것으로 예상된다고 전했다.

삼성전자는 올해 3분기 실적 발표에서 갤럭시노트7 (Galaxy Note7)의 리콜 사태로 15%의 손실이 있었으나 메모리 칩 가격으로 인한 수익으로 이를 만회한 것으로 알려졌다. 

현재 낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리와 DRAM 메모리 가격은 지속적인 상승세에 있다. 이러한 여세를 몰아 삼성전자는 메모리 업그레이드를 가속할 계획으로 알려졌다.

일반적인 제조 공정은 22nm와 14nm, 10nm 공정으로 이어지고 있는데 DRAM 메모리 칩 기술은 25nm 이후 20nm 공정이 적용되고 일부 제조사는 21nm와 18nm 공정을 이용하고 있다. 삼성이 유일하게 18nm 공정 기술을 이용해 생산 중이다. SK하이닉스 (SK Hynix)와 마이크론 (Micron)은 여전히 20nm 공정을 이용하며 2017년 18nm 공정을 도입할 계획인 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 18nm 공정 도입에 이어 2017년에는 15-16nm 공정, 2020년까지 10nm급 메모리 공정 기술을 목표로 하고 있다. 18nm 공정도 2017년 하반기까지 생산량을 확장할 예정이며 SK하이닉스와 마이크론이 18nm 메모리 생산에 들어갈 즈음에는 전체 생산량의 30-40% 정도를 18nm 메모리가 차지할 것으로 전망했다.

현재 DRAM 메모리는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 3사가 이끌고 있으나 삼성전자가 다른 두 제조사를 앞서고 있으며 IHS가 조사한 데이터에 따르면 삼성은 메모리 시장 점유율이 46.6%이며 20nm와 18nm 공정 기술도 경쟁사 대비 1년에서 1년 반 정도 앞선 것으로 알려졌다.