33% 데이터 입출력 속도 향상 및 소비전력 10% 개선, 삼성전자 업계 최초 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산

삼성전자가 업계 최초로 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell, 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드 양산을 시작한다고 밝혔다. 

업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도(Bit Density, 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

더미 채널 홀(Dummy Channel Hole, Cell Array에서 Plane을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

삼성전자의 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.

채널 홀 에칭이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 Toggle 5.1(Toggle DDR: 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps, 4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도 지원)이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 

삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스(Peripheral Component Interconnect Express : 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격, 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격)를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

또 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 예상된다. 

삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell, 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드도 양산할 예정으로 AI시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.