40년 만에 D램 용량 50만 배, 삼성전자 12나노급 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램 개발

삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 

1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거뒀다.

삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산하는데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해 128GB(기가바이트) 모듈을 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극: 칩을 얇게 간 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수다.

또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 AI 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

한편 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.