삼성 테크 데이 2019 차세대 반도체 솔루션 발표, 3세대 10나노급(1z) D램·7세대(1yy단) V낸드·PCIe Gen5 SSD·12GB LPDDR4X uMCP 공개

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권경욱 기자 0   0

삼성전자가 23일(현지시각) 삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2019를 개최하고 차세대 반도체 솔루션을 대거 선보였다.


삼성 테크 데이는 매년 삼성전자의 반도체 신기술을 선보이는 행사로 올해는 ‘혁신의 동력이 되다(Powering Innovation)’라는 주제로 세 번째로 열렸으며 반도체 시장의 트렌드와 주요 신제품 및 차세대 기술을 소개했다.


삼성전자는 지난 9월부터 업계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하기 시작했으며 이를 기반으로 내년 초 최고 성능·최대 용량의 D램 라인업을 공급해 프리미엄 D램 시장의 성장을 지속 주도한다는 전략이다. 


특히 역대 최대 용량인 512GB DDR5 D램을 비롯해 초고성능·초고용량 차세대 메모리 솔루션을 제공해 글로벌 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는데 기여할 예정이다.


D램 개발실 박광일 전무는 “지난 3월 업계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 데 이어, 최고 속도·최대 용량의 DDR5 D램, 모바일 LPDDR5, 초고속 GDDR6, HBM3 등 차세대 프리미엄 라인업을 적기에 양산할 수 있도록 준비하고 있다”라며, “향후에도 기술 리더십을 지속 유지하는 한편, 에코시스템 업체들과 자율주행, AI 응용시장에서 안전성 향상을 위한 기술 협력을 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.


용량과 성능 2배 향상하는 7세대(1yy단) V낸드 기술도 소개됐다. 삼성전자는 지난 7월 1 Stack 기술로 100단 이상 셀을 하나의 구조로 완성한 6세대(1xx) V낸드와 SSD를 업계 최초 양산한 데 이어 용량과 성능을 2배 향상하는 7세대(1yy) V낸드 기술의 사업화 전략을 공개했다.


삼성전자 7세대(1yy) V낸드는 업계 유일 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정(1 Etching Step)을 더욱 개선한 적층 기술과 칩 면적을 최소화 할 수 있는 기술을 접목한 제품으로 내년에 출시할 계획이다.


또한 기존 1세대 대비 읽기응답 시간(tR) 및 지연 시간(Latency)을 개선한 2세대 Z-NAND 라인업을 공개하며 차별화된 고객 가치를 제공해 프리미엄 시장을 지속 확대해 나간다는 전략을 밝혔다.


플래시 개발실 강동구 상무는 “2013년 3차원 V낸드 양산을 통해 새로운 메모리 시장을 창출한 이래 세대가 증가할수록 기술 난이도가 더욱 높아지고 있다”라며, “7세대 V낸드에는 더욱 혁신적인 기술을 적용해 속도와 용량을 향상시켜, 고객들이 소비자의 사용편의성을 높인 차세대 시스템을 계획대로 출시하도록 도울 것”이라고 말했다.


차세대 PCIe Gen5 SSD 기술도 공개됐다. 삼성전자는 지난 9월 차세대 서버/스토리지를 지원하는 SSD 3大 소프트웨어 기술로 초고용량 SSD 시장의 새로운 패러다임을 제시했으며 이 기술을 바탕으로 최고 성능을 구현한 PCIe Gen4 NVMe SSD(PM1733·PM1735)를 출시한 바 있다.


이 날 행사에서 삼성전자는 기존 제품보다 성능을 최대 2배 이상 향상시킬 수 있는 차세대 PCIe Gen5 NVMe SSD 기술의 사업화 계획도 공개했다. 참고로 PCIe (PCI Express)는 데이터 입출력을 위한 직렬 데이터 전송 구조의 인터페이스로 발전 단계에 따라 1.0, 2.0, 3.0, 4.0, 5.0 등으로 세대를 구분하며 숫자가 높을수록 데이터 전송 속도가 빠르며 NVMe (Non Volatile Memory express)는 PCIe 인터페이스를 기반으로 한 비휘발성 대용량 저장장치를 위한 통신 규격이다.


PCIe Gen5 NVMe SSD는 SATA SSD보다 최대 25배 이상 빠른 역대 최고의 연속 읽기(14GB/s)·쓰기 속도(10GB/s)를 목표로 개발 중이며 임의 읽기·쓰기 속도도 각각 3,400,000 IOPS(초당 입출력 작업 처리 속도), 400,000 IOPS 조건을 만족할 것으로 예상된다.


솔루션 개발실 송용호 전무는 “초격차 V낸드, 초고속 컨트롤러, 고효율 소프트웨어, 폼펙터 등 최적 솔루션 기반의 PCIe Gen5 SSD를 세계 최초로 출시하여 제품 경쟁력을 더욱 강화시켜 나갈 것”이라며, “차세대 제품의 기획 단계부터 단종까지 고객별 대응 체계를 강화해 투자비, 운영비, 부가가치 등 TCO(Total Cost of Ownership)를 더욱 절감한 솔루션을 제공할 것”이라고 강조했다.


미드엔드 스마트폰까지 12GB D램 시대를 연 12GB uMCP도 공개했다. 삼성전자는 대화면 스마트폰 시대에 최고의 솔루션을 제공하는 대용량 12GB LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) uMCP(UFS-Based Multi Chip Package)를 공개했다.


삼성전자는 플래그십 스마트폰용 12GB LPDDR4X 시장 선점에 이어, 8GB uMCP의 용량 한계를 돌파해 하이엔드와 미드엔드 스마트폰 시장까지 12GB 모바일 D램 시대를 열었다.


삼성전자는 올해 2월 16Gb LPDDR4X 기반 모바일 D램 패키지 양산에 이어 지난 9월부터 업계 최대 용량인 24Gb LPDDR4X(1y) 제품 양산을 시작함으로써 10GB와 12GB의 대용량 uMCP 제품을 업계에서 유일하게 공급할 수 있게 됐다.(10GB LPDDR4X uMCP = 24Gb(3GB)×2개 + 16Gb(2GB)×2개 + eUFS 3.0, 12GB LPDDR4X uMCP = 24Gb(3GB)×4개 + eUFS 3.0)


12GB LPDDR4X uMCP는 초당 4,266Mb의 D램 읽기/쓰기 속도를 구현하면서 용량은 1.5배 높이고 소비전력 증가를 최소화해 초고화질 영상 촬영, 인공지능(AI)과 머신러닝(ML) 기능을 안정적으로 지원한다. 


전략마케팅팀 전세원 부사장은 “역대 최대 용량의 12GB uMCP 제품을 최초로 공급하며 하이엔드부터 미드엔드 스마트폰까지 대용량 모바일 D램 시대를 앞당겼다”라며, “고객의 신제품 출시에 맞춰 차세대 라인업을 공급해 소비자 사용 편의성을 더욱 향상하는데 기여하겠다”라고 밝혔다.


한편 uMCP는 UFS규격의 초고속 낸드플래시와 모바일 D램을 하나로 패키징해 모바일 기기 설계에 장점을 갖춘 제품으로 미드엔드 스마트폰에 주로 탑재되고 있다.

 

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