차세대 플래시 메모리 및 SSD 기술 소개, 키오시아 FMS 2026에서 AI 시대를 위한 플래시 스토리지 혁신 선보여

메모리 솔루션 분야의 세계적 선도 기업인 키오시아 그룹(Kioxia group)은 8월 4일~6일 미국 캘리포니아주 산타클라라 ‘메모리 및 스토리지의 미래(FMS: the Future of Memory and Storage)’ 행사에서 GPU 직접 액세스에 최적화된 키오시아 GP1 시리즈(KIOXIA GP1 Series) PCIe® 6.0 NVMe™ 초고(Super High) IOPS SSD를 비롯한 자사의 플래시 메모리 및 SSD 기술을 통해 차세대 AI 인프라를 어떻게 구현할 수 있는지 시연한다. 

키오시아는 기조연설, 임원 패널 토론, 기술 세션, 기술 시연을 통해 차세대 AI 인프라에 필요한 성능·확장성·효율성을 이끄는 혁신을 선보일 예정이다.

FMS 2026에서는 최근 발표된 직접 액체 냉각을 지원하는 키오시아 CM10 시리즈 PCIe®엔터프라이즈 SSD와 키오시아 NX1 시리즈 SSD가 전시된다. AI 및 현대 데이터센터 환경을 위해 설계된 키오시아 CM10 시리즈 SSD는 BiCS FLASH™ 10세대 플래시 메모리로 구축된 최초의 엔터프라이즈 드라이브이며, 키오시아 NX1 시리즈는 차세대 E1.S PCIe® 5.0 NVMe™ 데이터센터 SSD이다.

FMS 2026에서 키오시아는 다양한 주제를 다루는 기조연설 및 세션을 진행한다.

기조연설:

‘플래시 메모리 및 SSD로 AI 시대를 위한 데이터 센터 스토리지 재정의(Redefining Data Center Storage for the AI Era with Flash Memory and SSDs)’

8월 4일(화) 오전 11시 10분

장소: 산타클라라 컨벤션 센터(Santa Clara Convention Center) 1층 미션 시티 볼룸(Mission City Ballroom)

연사: 네빌 이차포리아(Neville Ichhaporia) 키오시아 아메리카(KIOXIA America, Inc.) SSD 사업부 수석부사장 겸 부문장, 마쓰데라 가쓰키(Katsuki Matsudera) 키오시아 메모리 기술 마케팅 관리부 부문장

엔비디아 특별 세션:

‘대규모 AI 팩토리 및 에이전트 운영을 위한 메모리와 스토리지의 균형(Balancing Memory and Storage to Operate AI Factories and Agents at Scale)’

8월 6일(목) 오전 11시

장소: 산타클라라 컨벤션 센터 1층 미션 시티 볼룸

연사: 로리 볼트(Rory Bolt) 키오시아 아메리카 SSD 사업부 시니어 펠로 겸 수석 아키텍트

패널 토론:

‘액셀러레이터 중심 아키텍처에서의 스토리지(Storage in Accelerator-Centric Architectures)’

8월 6일(목) 오전 9시 45분

장소: 하얏트 리젠시 산타클라라 로비층 볼룸 G

연사: 일리야 체르카소프(Ilya Cherkasov) 키오시아 아메리카 SSD 엔터프라이즈 사업부 수석 엔지니어

키오시아 부스 전시

10개의 개별 전시 공간이 마련된 상징적인 2층 구조의 키오시아 307번 부스 전시장에서는 다음과 같은 제품 및 기술 시연이 진행된다.

· 키오시아 GP1 시리즈 초고 IOPS SSD: GPU 인접 워크로드를 위한 512바이트(byte) 임의 읽기 성능에서 1000만 IOPS 구현

· AI용 액체 냉각 SSD: 키오시아 NX1 시리즈 데이터센터 NVMe™ SSD 집중 소개

· PCIe® 엔터프라이즈 SSD: AI 추론 극대화를 위한 컨텍스트 메모리 캐싱 기능을 갖춘 KIOXIA CM10 및 CM9 시리즈 PCIe® 6.0 엔터프라이즈 NVMe™ SSD 집중 소개

· 대규모 데이터셋의 빠른 검색을 위한 고용량 QLC 스토리지: 245.76테라바이트(TB) 키오시아 LC9 시리즈(KIOXIA LC9 Series) NVMe™ SSD 집중 소개

· 키오시아 AiSAQ(KIOXIA AiSAQ™) 오픈 소스 소프트웨어: AI 추론을 위한 벡터 데이터베이스 확장성 향상

· BiCS FLASH™ 10세대 플래시 메모리: 평면 축소(lateral shrink)가 개선된 332단이 특징이며 CMOS 어레이 직접 접합(CBA) 기술로 확장성 향상

· XL-플래시(XL-FLASH™) 탑재 CXL(CXL™) 메모리 모듈: XL-FLASH™로 메모리 계층 구조 확장

· 새로운 UFS 5.0: AI 레디(AI-Ready) 고성능 메모리 솔루션

· 고용량 패키지/저지연 QLC 플래시 메모리: AI 애플리케이션을 위한 32다이(die) 스택 BGA 패키지 집중 소개