인텔-마이크론의 3D XPoint에 대응하는 삼성전자 Z-NAND

인텔 (Intel)과 마이크론 (Micron) 진영이 개발한 차세대 고속 대용량 비휘발성 메모리인 3D XPoint에 대응해 삼성전자는 Z-NAND를 개발 중이라는 소식이다.

Z-NAND는 기술적인 부분이 아직 구체적으로 알려지지 않았으나 일부 공개된 내용에 따르면 MLC 낸드 제품 전체 용량을 SLC와 같이 사용하도록 만들어 성능과 내구성을 향상하는 기술로 3D NAND (V-NAND)의 64 레이어 아키텍처 등이 사용될 것으로 예상했다. 이를 통해 기존 NAND 플래시 내장 SSD 대비 레이턴시 (지연 시간)이 줄고 데이터 이동 속도는 크게 향상될 것으로 알려졌다.

Z-NAND를 이용하는 SSD 제품은 Z-SSD로 불리며 3D XPoint에 경쟁 가능한 성능을 제공할 것으로 전망했다. 3D XPoint는 NAND 플래시 대비 100배 빠른 성능, 1000배 긴 수명, DRAM의 10배 저장 밀도를 제공할 것으로 알려졌다. 3D XPoint 기반 NVMe SSD는 NAND 플래시 대비 레이턴시 (지연 시간)은 10분의 1, 응용 프로그램 처리 속도는 3배로 이론상 성능에 도달하지는 못해 앞으로 이를 개선하는 기술과 상용화에 따른 높은 가격 등이 해결되어야 할 부분이다. 

삼성전자가 공개한 자료에 따르면 Z-NAND 기반의 Z-SSD 제품은 2017년 출하될 것으로 예상했다.