삼성전자 화성 반도체 제조 공장 1분간 정전, DRAM 및 NAND 메모리 일부 생산라인 중단으로 수백만 달러 손실 예상

삼성전자 화성 반도체 제조 공장의 정전으로 일부 생산 라인이 중단되었다는 소식이다.

techpowerup은 로이터를 인용해 지난 12월 31일(화) 오후 화성에 위치한 삼성전자 D램(DRAM) 및 낸드 플래시(NAND Flash) 공장에서 지역 송전 케이블 결함으로 인해 1분간 정전이 발생했으며 이로 인해 일부 생산 라인이 중단되었다고 전했다.

반도체 생산 라인은 매우 민감한데 이번 정전으로 인해 삼성전자는 수백만 달러 규모의 손실이 발생할 것으로 예상되고 있으며 생산라인을 다시 가동하는데 최대 2일의 시간이 소요될 것으로 알려졌다.

정전으로 인해 D램 및 낸드 플래시 메모리 생산량은 일시적으로 감소할 것으로 예상되며 이로 인해 재고 소진에 도움이 될 것으로 보인다고 전했다.

또한 올해 메모리 가격 인상이 이루어질 것으로 예상되고 있는 가운데 이번 정전이 메모리 가격 인상에 영향을 줄 것으로 전망되고 있다.

한편 지난 2018년에도 삼성전자 반도체 제조 공장에서 30분 동안의 정전이 발생하면서 4332만 달러의 손실을 입은 바 있다.