인텔 메모리 & 스토리지 데이 2019, 데이터센터 및 클라이언트 솔루션 딥 다이브

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권경욱 기자 0   0

인텔은 9월 26일(목) 오전 서울 종로구 청계천로에 위치한 JW 메리어트 동대문 스퀘어 서울 그랜드볼룸에서 인텔 메모리 & 스토리지 데이 2019(Intel Memory & Storage 2019)를 진행했다. 


이날 진행한 인텔 메모리 & 스토리지 데이 2019에는 인텔 롭 크룩(Rob Crooke) 수석부사장겸 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄과 인텔 코리아 권명숙 대표를 비롯하여 클라이언트 및 데이터센터 그룹의 시니어 디렉터 및 수석 엔지니어들이 참가해 인텔 옵테인 메모리를 포함한 인텔 메모리 기술 전반에 대해 소개했다.


인텔의 비전과 주요 제품에 대해 진행한 오전 세션에 이어 오후에는 인텔의 주요 수석 기술 리더들이 참여해 인텔 메모리 기술에 대한 기술적인 세션을 통해 인텔 메모리 기술을 깊게 이해할 수 있는 행사로 진행됐다.




오후 세션에서는 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 펠로우 프랭크 하디(Frank Hady) 박사, 프라나브 카라바데(Pranav Kalavade) 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 펠로우, 모하메드 아라파(Mohamed Arafa), 데이터센터 엔지니어링 및 아키텍처 데이터센터 그룹 수석 책임 엔지니어는 메모리와 스토리지 계층구조의 구현이라는 주제를 소개했다.


이어진 세션에서는 모하메드 아라파(Mohamed Arafa) 데이터센터 엔지니어링 및 아키텍처 데이터센터 그룹 수석 책임 엔지니어와 프랭크 오버(Frank Ober), 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 솔루션 아키텍트가 데이터센터 솔루션 딥 다이브, 데이비드 런델(David Lundell) 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 클라이언트 SSD 전략 기획 부문 시니어 디렉터가 클라이언트 솔루션 딥 다이브를 진행했다. 144레이어를 도입한 3D 낸드, 옵테인 메모리와 기존 낸드 기반 제품군의 아키텍처적인 차이, 가능과 잠재력 등 다양한 기술적인 소개가 이루어졌다.





인텔은 DRAM과 3D 낸드, 하드디스크(HDD)와 같은 스토리지 사이에 비용 및 성능 등의 계층 갭이 발생하고 있으며 폭발적으로 데이터가 증가하고 있는 오늘날에는 이러한 계층의 갭이 비용과 성능 등 다양한 부분에서 영향을 미치고 있다고 전했다. DRAM은 다이 당 용량이 기술적인 한계로 크게 발전하지 못하고 있으며 느리게 발전하는 하드디스크 역시 이들과의 계층간 갭이 크게 발생하고 있다. 90/10 룰에 따라 용량은 10배로 증가하지만 성능은 1/10으로 줄어들어 메모리와 스토리지 사이의 계층 갭은 비용뿐만 아니라 성능에서도 큰 차이가 발생한다.





이러한 개층간의 갭을 극복하기 위해 인텔은 플래시 셀(Flash Cell) 기술 발전을 위해 노력하고 있으며 메모리를 구성하는 물질과 전자 컴포먼트, 구조 등 2D 낸드 구조는 더 많은 용량과 늘어난 수명을 제공하는 3D 낸드 기술로 발전하고 있다. 인텔도 3D 낸드 기술에 CMOS 언더 어레이(CuA)와 플로팅 게이트 3D 낸드 기술, 데이터 중심의 디자인을 위한 FG(Vertical Floating Gate) 기술을 통해 비용 효율적이면서 처리 성능을 높이는데 주력하고 있다.







이러한 인텔의 플로팅 게이트(FG) 셀 기술은 발전을 통해 1세대 32레이에서 TLC(3bits/cell)로 384Gb, 2세대 64레이어부터 QLC(4bits/cell)로 용량을 1024Gb, 3세대 96 레이어 QLC에서는 1024Gb, 2020년 등장할 4세대 144레이어 QLC는 1024Gb로 같은 면적에 더 많은 내용을 담을 수 있는 비용 효율성을 크게 향상할 수 있을 것으로 전망했다.







인텔의 플로팅 게이트(FG) 셀 기술은 발전을 통해 TLC와 QLC로 전환을 통해 성능과 저장 용량 향상, 그리고 기술 발전을 통해 QLC에서 다음 단계인 5bit/cell(5B/C)로의 진입도 가능할 것으로 내다봤다. 성능과 저정용량 향상, 셀당 비트 수 증가로 내구성이 하락하지만 이와 같은 내구성 하락을 방지하기 위한 기술들이 연구되면서 더 많은 용량과 높은 성능의 SSD를 앞으로 사용 가능할 것으로 예상된다.






 


이러한 메모리와 스토리지 기술 발전 중에도 DRAM과 3D 낸드, 하드디스크와 같은 스토리지 사이의 계층 갭이 발생하는데 인텔은 이들 사이의 갭을 줄이기 위해 3D XPoint 기반의 옵테인 메모리 기술을 도입했다.




인텔은 옵테인 기술과 QLC 3D 낸드 기술이 들어간 옵테인 메모리 With 솔리드 스테이트 드라이브는 렌더링과 포토샵을 함께 불러오는 동시 작업을 가정한 데모 시연을 통해 더 빠르게 처리되는 것으로 나타나 비용 효율면에서 기존의 SSD 대비 유리한 것으로 소개됐다.





인텔은 옵테인 기술이 들어간 차세대 옵테인 DC SSD를 통해 기존 세대 대비 향상된 성능을 통해 사용자가 요구하는 더 높은 성능과 비용 효율 등을 개선해 나갈 계획이다.






 


인텔의 3D XPoint 기반의 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리는 시스템 모듈로 개발되었다. 메모리 슬롯에 장착해 사용하는 방식으로 옵테인 기술과 컨트롤러 지원을 통해 2세대 제온 스케일러블 프로세서와 최적화된 동작이 이루어진다. 메모리 모듈과 같은 형태의 디자인으로 DDR4 버스와 DDR-T 프로토콜을 통해 CPU와 데이터를 주고 받으며 보안을 위한 하드웨어 암호화 메모리로 256b AES-XTP 암호화 엔진 탑재와 하드웨어 모듈로 저장하는 보안 키 등 보안 부분도 고려해 설계됐다.





옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리는 성능 측면에서 DDR4 버스 이용에 따른 차이가 발생하지만 기존 대비 빠른 데이터 처리 성능을 제공하면서 엔터프라이즈급에 준하는 내구성을 제공한다. 스마트 레지스터와 효율적인 설계를 바탕으로 5년의 제품 보증 기간을 지원한다.






옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리와 가상 머신(VM)에서 최대 8배의 생성과 최대 30%이 시스템 비용을 절약할 수 있도록 해준다. 인텔 2세대 제온 스케일러플 프로세서 조합에서 저용량이 할당되는 가상 머신 상태에서는 CPU 자체 부하가 24% 수준이지만 메모리 할당량과 가상 머신의 수가 크게 증가하면 CPU 점유율도 96%에 이를 정도로 높아지게 된다. 이때 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리는 보다 효율적으로 CPU 부하와 저장장치 사이에서 작동하게 된다.




인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리를 워크스테이션에는 128GB부터 256GB, 512GB를 구성 가능하며 2세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서 싱글 또는 듀얼 소켓 기반 제품과 조합하여 대용량 메모리 작업과 상태 유지를 위한 다양한 작업에서 효율을 높일 수 있게 된다.






인텔 옵테인 DC 퍼시스턴트 메모리는 서버단에서 워크스테이션과 클라이언트로도 확장 예정이다. 클라이언트에서는 OS 최적화를 위한 마이크로소프트(Microsoft, MS)와 협렵을 통해 인텔은 보다 최적화된 성능을 이끌어낼 수 있도록 계획하고 있다. 이를 통해 기존 스토리지를 장착한 시스템과 비교해 렌더링을 위한 블렌더(Blender)에서는 4배, 둠(Doom) 게임 로딩은 2배 가까이 빠른 성능을 제공하는 것으로 소개했다.



롭 크룩(Rob Crooke) 수석부사장의 Warp-Up 세션으로 마무리


한편 롭 크룩(Rob Crooke) 수석부사장 겸 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 총괄이 등장해 Warp-Up 세션을 통해 행사를 마무리했다. 인텔은 새로운 도전과 문제에 직면해 이를 해결하기 위해 노력해 왔으며 인텔 메모리 기술을 통해 데이터센터와 소비자 모두에 비용 효율적이면서 효과적인 솔루션을 제공해 나갈 것이며 그 중심에는 옵테인 메모리가 자리잡고 있다고 밝혔다.

 

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