삼성전자, Z-NAND 기술로 기존 NVMe 대비 70% 낮은 레이턴시의 Z-SSD PCIe SSD 공개

삼성전자가 인텔의 3D XPoint와 같은 차세대 저장장치 기술인 Z-NAND 기술 기반의 PCIe SSD를 공개했다는 소식이다.

현재 낸드 플래시 (NAND) 플래시 기반 SSD는 물리적인 한계로 더 높은 성능 구현이 쉽지 않은 가운데 차세대 메모리 기술을 기반으로 하는 SSD 장치들이 등장하고 있다. 인텔 3D XPoint 기반 옵테인 (Optane)과 삼성 Z-NAND 기반 저장장치가 대표적이다.

인텔은 최근 3D XPoint 기술을 기반으로 하는 상업용 제품 옵테인 SSD DC P4800X 시리즈를 공개했는데 techpowerup은 삼성전자가 이에 대응해 Z-NAND 기술을 기반으로 하는 Z-SSD PCIe SSD 저장장치를 공개했다고 전했다. 

Z-NAND 기술은 MLC 낸드 제품 전체 용량을 SLC와 같이 사용하도록 만들어 성능과 내구성을 향상하는 기술로 3D NAND (V-NAND)의 64 레이어 아키텍처 등이 사용되며 이를 통해 기존 NAND 플래시 내장 SSD 대비 레이턴시 (지연 시간)이 줄고 데이터 이동 속도는 크게 향상될 것으로 알려졌다. 낸드와 DRAM 사이의 가교 역할로 낸드보다 더 빠른 성능과 높은 저장용량 등을 구현할 것으로 예상된다.

공개된 Z-NAND 기반 PCIe SSD는 스펙이 공개되지 않은 새로운 컨트롤러를 이용하고 있으며 현재의 NVMe 드라이브 대비 70% 더 낮은 레이턴시 (Latency)를 제공하는 것으로 알려졌다.

사진으로 공개된 Z-NAND 기반 Z-SSD PCIe SSD는 고객들에게 샘플링이 시작된 것으로 소개되고 있으며 PCIe 4x 레인 (Lane) 동작과 800GB의 용량을 제공한다.

소개된 성능은 최대 읽기와 쓰기 속도는 3200Gbps, 랜덤 읽기와 쓰기 성능은 750K와 160K IOPS를 각각 제공한다.

가격이나 이용 가능 시기에 대해서는 알려져 있지 않으며 1TB와 2TB, 4TB 용량 제품군이 등장할 것으로 예상했다.