삼성전자 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 출하, 비휘발성에 DRAM 수준의 빠른 속도
삼성전자가 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다.FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM …
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