핀펫(finFET) 공정 대비 2배 높은 성능 및 전력 사용량 85% 절감, IBM과 삼성 수직 디바이스 아키텍처 VTFET 발표
IBM과 삼성전자는 오늘 수직(vertical) 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인(VTFET)을 발표했다.또한, 이번 신규 반도체 설계를 바탕으로 나노 공정을 뛰어넘는 혁신이 가능하며, 기존 스케일링된 핀펫(finFET) 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있다고 밝혔다.이번 발표는 전 세계적인 반도체 부족 사태로 인해 칩…
권경욱
