삼성, 수익 하락하는 DRAM 투자 대신 낸드 플래시 메모리에 집중할 것

삼성전자가 수익이 하락하고 있는 DRAM에 대한 투자 대신 수익성이 더 높은 낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리에 보다 집중할 것이라는 소식이다.

현재 DRAM 시장은 경쟁을 통해 삼성과 SK하이닉스 (SK Hynix), 마이크론 (Micron)의 3강 체제로 들어갔다고 해도 과언이 아니지만 PC 수요 감소와 미세공정과 같은 신기술의 도입으로 DRAM 생산량이 늘어나면서 DRAM 가격은 계속 하락 중에 있고 수익성도 낮아지는 추세다.

최신 PC에는 인텔 스카이레이크 (Skylake)의 등장으로 DDR4 메모리가 사용되고 있으며 8GB DDR4-2133MHz 제품이 199위안 (약 35,000원 선)으로 메인스트림으로 사용되며 가격이 하락하면서 16GB 사용도 머지 않았지만 수익은 계속 낮아지고 있다. 

DRAM 시장에서 삼성은 남아있는 경쟁사보다 미세공정 도입이나 기술 진화가 빠른 상황으로 올해 3월 18nm 메모리 양산을 발표한 바 있어 차이를 보이고 있지만 수익 하락은 피할 수 없는 상황이다. 

때문에 많은 DRAM 제조사들은 수익성이 높은 낸드 플래시 메모리로의 전환을 가속하는 것으로 알려졌는데 삼성도 이러한 시장 상황을 반영해 DRAM 투자를 줄이고 수익성있는 낸드 플래시 메모리 개발과 생산에 집중할 것으로 알려졌다. 스마트폰 적용 메모리도 4GB, 6GB 낸드 플래시 메모리가 사용되며 용량이 증가해 수요도 늘어나고 있는 추세인데다 수익성도 DRAM보다 높은 편이다.

최근 조사에 따르면 삼성은 지난해 낸드 플래시 메모리 수익률이 17%를 기록했으나 올해는 25%가 증가했다. 

낸드 플래시 메모리 점유율은 삼성이 31.6%로 1위를 유지하고 있으며 2위인 도시바 (Toshiba)는 18.3%, 샌디스크 (SanDisk)는 17.6%, 마이크론 13.4%, SK하이닉스 10.7%, 인텔 7.5%, 파워칩 (Powerchip)은 0.2%로 삼성은 다른 제조사와의 격차가 큰 편이다.

기술 지원면에서도 TLC와 3D NAND 플래시 기술을 다른 제조사보다 2-3년의 발표나 양산이 빨라왔고 중국 시안 Fab에 3세대 3D V-NAND 플래시 메모리 양산을 위해 70억을 투자한 것으로 알려졌다. 3세대 V-NAND는 48 레이어 스택을 바탕으로 낸드 플래시 용량과 생산 비용을 줄일 수 있을 것으로 알려졌다.