삼성전자, 플래시 메모리 서밋 2017서 차세대 V낸드 기반 NGSFF SSD와 Z-SSD 등 공개

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PC | 삼성전자, 플래시 메모리 서밋 2017서 차세대 V낸드 기반 NGSFF SSD와 Z-SSD 등 공개

권경욱 기자 1   0

삼성전자가 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)에서 차세대 V낸드 기반 솔루션을 선보였다.


이번 서밋에서는 세계 최대 용량 1Tb V낸드와 서버 시스템 집적도 향상하는 NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD, 기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 Z-SSD, 신개념 데이터 저장방식을 적용한 Key Value SSD 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.


세계 최대 용량 1Tb V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell) 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘렸다. 1Tb 낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 구성 가능해 SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있으며 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 내년 (2018)에 본격 출시할 예정이다.



 서버 시스템 집적도 향상하는 새로운 규격 NGSFF SSD 공개 


NGSFF SSD는 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화할 수 있는 신규 SSD 규격으로 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간 기준으로 저장용량을 4배까지 향상할 수 있다. 서밋에서 공개한 NGSFF SSD는 16TB 36개로 구성된 576TB 기반 레퍼런스 시스템 (1U)에 탑재되었으며 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구성할 수 있다. 삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산해 고객 수요에 대응하고 내년 1분기 JEDEC 표준화를 완료하여 데이터센터 및 다양한 서버 고객들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.




▲ 기존 NVMe SSD 제품대비 성능을 획기적으로 향상시킨 하이엔드 SSD제품 Z-SSD 


Z-SSD는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한  하이엔드 SSD로 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲, 읽기와 쓰길를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도를 구현할 수 있다. Z-SSD는 실시간 빅데이터 분석과 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 적합하며 삼성전자는  2016 플래시 메모리 서밋에서 처음 공개한 이후 샘플을 통해 다양한 업체와 협력방안을 논의 중이다.


이들과 함께 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 Key Value SSD도 선보였다. 기존 SSD는 다양한 종류와 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용했다. 그러나 Key Value SSD 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있는 것이 특징이다.


삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도해왔으며 향후에도 첨단 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 선도해 나갈 계획이다. 


한편 플래시 메모리 서밋 (Flash Memory Summit 2017)은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스로 올해는 8월 8일부터 8월 10일까지 열린다.

 

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1 Comments
12 마린 2017.08.09 23:43  
삼성이 차세대 V낸드 기반으로 새로운 규격인 NGSFF SSD와 지난해 공개한 Z-SSD를 다시 선보였군요. Key Value SSD도 공개했고요. Z-SSD는 내년에 판매되려나요? 성능이 어떨지 궁금하긴 하네요.
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