삼성전자, DRAM 대비 8배 빠른 속도의 8GB HBM2 D램 공급 본격 확대

삼성전자가 8GB(기가바이트) HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램 양산 규모를 빠르게 늘리며 공급을 본격 확대한다.

8GB HBM2 D램은 초고집적 TSV 설계와 발열 제어 기술 등 850여 건의 핵심 특허가 적용되어 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공하며 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드 시장까지 공급이 확대되고 있다.

특히 그래픽카드 시장에서는 HBM2 D램이 AMD의 차세대 베가 (Vega) 아키텍처 기반 전문가용 라데온 베가 프론티어를 시작으로 데스크탑용 라데온 RX 베가 (Radeon RX Vega)에 적용 예정이며 엔비디아 (NVIDIA)는 볼타 (Volta) 기반 테슬라 (Tesla) V100 데이터센터 GPU에 탑재되고 있다. 

8GB HBM2 D램은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조로 각 칩에 5천개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 수직 연결한 초고집적 TSV 설계 기술을 이용한다. 

대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 하며 삼성전자는 고속 동작시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 발열 제어 기술도 개발해 높은 수준의 신뢰성을 확보했다. 

또한 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB/s (20GB용량 UHD급 화질의 영화 13편을 1초에 전송하는 속도) 속도로 데이터 전송, 4GB HBM2 D램과 동일한 크기에 2배의 용량을 제공해 인공지능 시스템의 성능 한계 극복에 기여, 소비전력 효율도 약 2배 높였다.

삼성전자는 글로벌 IT 고객들의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘려 프리미엄 D램 시장의 수요에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.

한편 삼성전자는 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리 시장을 개척한 데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해왔다.