도시바 TSV기술 기반의 3D플래시 메모리 개발, 제품 샘플은 2017년 하반기 공개 예정

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PC | 도시바 TSV기술 기반의 3D플래시 메모리 개발, 제품 샘플은 2017년 하반기 공개 예정

권경욱 기자 1   0

도시바 메모리 코퍼레이션(Toshiba Memory Corporation)이 세계 최초로 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH 3D플래시 메모리를 개발했다.


셀당 3비트를 저장하는 3중셀(TLC) 기술을 기반으로 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)기술을 적용하여 개발된 BiCS FLASH 3차원(3D)플래시 메모리는 고속 데이터 입출력, 저전력 소비, 대용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다. TSV기술을 적용한 디바이스는 데이터를 고속으로 입출력하면서 전력 소모를 줄이는 구조로 수직 전극 및 바이어스가 실리콘 다이(die)를 통과하여 연결성을 높여준다.


48레이어 3D플래시 공정과 TSV기술을 결합해 대역폭을 향상하면서 전력 소비를 낮췄으며 단일 패키지의 전력 효율성은 와이어 본딩 기술을 적용한 동일 세대 BiCS FLASH 메모리의 약 2배, TSV기술을 적용한 BiCS FLASH 메모리는 단일 패키지에 16 다이를 적층한 구조로 1테라바이트(TB) 용량을 구성 가능하다.

  

TSV기술을 적용한 BiCS FLASH 메모리는 기업용 고성능 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함한 저지연성, 고대역폭의 IOPS(초당 입출력 횟수)/와트를 필요로 하는 스토리지 애플리케이션에 적합하다.


개발 목적을 위한 시제품은 지난 6월부터 출하를 시작했으며 제품 샘플은 2017년 하반기에 공개할 예정이다. 


한편 도시바는 TSV기술 기반 3D플래시 메모리 시제품을 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 8월7~10일에 열리는 2017플래시 메모리 서밋(2017 Flash Memory Summit)에서 공개한다.

 

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1 Comments
12 마린 2017.07.12 22:48  
TLC와 TSV 기반 3D플래시 메모리도 다양하게 등장하고 있고 쓰기 수명도 많이 개선되고 있으니 용량과 적절한 가격이 형성되면 좋겠네요.
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