삼성전자, 세계 최초 10nm급 8GB 모바일 DRAM 공급 시작

삼성전자가 이달부터 세계 최초로 10나노(10nm)급 공정 기술로 제조한 8GB LPDDR4 모바일 D램 (DRAM)을 공급하시 시작했다는 소식이다.

삼성은 지난해 8월 20나노 12Gb LPDDR4 D램을 양산한 지 14개월 만에 10나노급 16Gb LPDDR4 D램을 출시했다.

새로 공급되는 모바일 D램은 10나노급 설계 기술과 삼성이 독자 개발한 저전력 기술이 적용되어 기존 20나노(20nm)급 4GB 모바일 D램 대비 용량은 2배로 늘어나고 단위용량당 (GB) 소비전력 효율은 약 2배가 향상됐다.

또한 기존 모바일용 패키지 (15mm x 15mm) 크기 (면적)의 두께를 1.0mm 이하의 초슬림 솔루션으로 eUFS (embedded Universal Flash Storage, 내장용 UFS(차세대 스토리지 메모리))나 모바일 AP (애플리케이션 프로세서)에 적층이 가능해 패키지 실장 면적도 줄일 수 있게 되었다.

8GB LPDDR4 D램은 16Gb (기가비트) LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) 4개의 칩 (16Gb = 2GB x 4) 기반으로 만들어진다. 

읽기와 쓰기 속도는 4266Mb/s로 4GB DDR4 (2133Mb/s) PC D램보다 2배 빠른 속도를 구현했으며 울트라슬림 노트북, 듀얼 카메라, 4K UHD, VR 등 다양한 분야에 적합한 메모리 솔루션으로 이용할 수 있을 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 10나노급 D램 생산 비중을 높여나가며 향후 기존 라인업에서도 10나노급 D램을 생산해 공급을 확대나갈 계획이다.

한편 삼성전자는 2009년 50나노급 256GB (1Gb MDDR, 400Mb/s) 모바일 D램 양산을 시작으로 2015년 20나노 6GB (12Gb LPDDR4, 4266Mb/s), 2016년 10나노급 8GB (16Gb LPDDR4, 4266Mb/s)의 양산에 이어 공급을 시작했다.