인텔 3D XPoint 기반 옵테인 SSD DC P4800X 시리즈, 20nm 공정 제조

인텔은 3D XPoint 메모리 기술 기반의 옵테인 (Optane) 제품군을 소개한 가운데 인텔 DC P4800X 시리즈이 제조 공정에 대한 정보가 공개되었다는 소식이다.

옵테인의 기반이 되는 3D XPoint 메모리 기술은 인텔과 마이크론 (Micron)의 협력으로 개발되었으며 이 메모리는 낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리 대비 1000배 빠른 속도와 향상된 내구성, 용량은 10배 이상을 구현 가능해 기존 낸드 플래시의 한계를 넘어설 수 있을 것으로 예상되는 새로운 저장장치용 메모리다.

3D XPoint 메모리 기반 저장장치는 인텔이 옵테인으로 부르고 있으며 소비자용은 16GB와 32GB, 기업용은 375GB 용량의 DC P4800X 시리즈를 소개했다.

인텔은 3D XPoint 플래시 기술에 대해 자세한 부분을 공개하지 않아 제조 공정이나 스펙 등은 알려지지 않았는데 최근 DC P4800X 시리즈 PCN 공지 내용을 통해 이 제품은 20nm 공정을 기반으로 하는 메모리를 기반으로 제조된 것으로 나타났다. 일부 소식은 3D XPoint가 PCM (Phase Change Memory)나 ReRAM 기술을 이용할 것으로 전해지기도 했으나 아직 자세한 내용은 알려지지 않았다.

DC P4800X 시리즈에 적용한 20nm 공정은 최근 3D 낸드 플래시 제조사들이 이전하고 있는 공정으로 알려져 새로운 것은 아니며 삼성전자는 초기 V-NAND 생산시 40nm 공정을 이용한 것으로 알려졌다. 낸드 플래시 공정에서는 미세공정이 진행될수록 내구성이 낮아지므로 무조건 미세공정이 유리한 것은 아니다.

한편 인텔 옵테인 저장장치는 2017년 2분기 출시 예상, 현재 카비레이크 (Kaby Lake)를 지원하는 인텔 200 시리즈 칩셋 메인보드에서 이를 이용할 수 있다.