SK하이닉스, 최신 그래픽카드에 탑재할 HBM2 메모리는 2017년 1분기부터 공급

이달 초 SK하이닉스 (SK Hynix)는 2017년 1분기 자사의 제품 데이터북을 업데이트했고 그에 따라 최신 HBM2 (High Bandwidth Memory 2)의 등장 시기가 확인되었다는 소식이다.

소식을 전한 사이트는 SK하이닉스가 제품 데이터북을 업데이트하면서 4-Stack 4GB HBM2 1.6GHz 메모리를 2017년 1분기부터 공급할 것으로 나타났다고 전했다.

SK하이닉스는 그래픽용 2개의 4-Stack 4GB HBM2 (2.0GHz와 1.6GHz)를 2016년 3분기, 4-Stack 4GB HBM2 2.0GHz를 2016년 4분기부터 이용 가능할 것으로 소개했으나 다시 업데이트 되면서 1.6GHz 4-Stack HBM2 4GB 메모리가 2017년 1분기부터 공급될 것으로 예상된다. 

HBM2 메모리는 고성능 그래픽카드와 서버 분야 등에 사용될 것으로 알려졌으며 AMD의 차세대 베가 (Vega) GPU는 2 스택 (Stack) 사용으로 8GB 용량과 4096GB/s의 대역폭을 제공할 것으로 예상되며 4 스택을 이용한 전문가용 제품 등을 개발할 가능성도 있을 것으로 전망했다. 베가가 8GB HBM2 1.6GHz 메모리를 사용한다면 410GB/s의 메모리 대역폭을 제공할 수 있을 것으로 예상된다. 8 스택 HBM2 이용이 가능하다면 16GB 구성이 가능하겠지만 아직 이에 대한 정보는 공개되지 않았다.

SK하이닉스는 엔비디아 (NVIDIA)가 파스칼 (Pascal) GPU에 도입한 GDDR5X 메모리 공급에 대해서 알려져 있지 않다. 현재는 GDDR5X 메모리가 마이크론 (Micron)에서 생산되고 있으나 AMD의 차세대 라데온 500 시리즈 (Radeon 500)에 GDDR5X 메모리가 탑재된다면 마이크론의 GDDR5X 메모리를 이용할 것인지는 아직 확실치 않다. AMD가 GDDR5X를 라데온 500 시리즈에 탑재해 출시하면 메모리 대역폭에 의한 병목 현상은 줄어들 것으로 예상된다.

이 외에도 SK하이닉스는 4세대 3D NAND (3D NAND V4) 메모리를 계획하고 있으며 2017년 2분기 공급할 예정이다. 256Gbit와 72셀 (Cell) 제품군이 2분기, 512Gbit는 4분기 공급할  것으로 예상된다. 

전세계적으로 낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리의 수요가 높아 DRAM 공급량이 부족해지면서 DRAM은 가격이 높아졌다. SK하이닉스는 DRAM이 전체 판매의 72%, 낸드 플래시 메모리가 25%를 차지해 아직은 DRAM 공급량이 많으며 낸드 플래시 메모리를 위한 새로운 공장 건설도 2019년까지 기다려야 하므로 이러한 상황은 지금 당장은 바뀌기는 어려울 것으로 예상했다. SK하이닉스의 1Xnm DRAM 제품 생산 수율이 현재의 2Znm (21nm) 수율에 도달하기 위해는 장기간이 필요할 것으로 보이며 적용되면 제품 생산 비용을 줄일 수 있게 된다.

모바일 장치를 위한 LPDDR4X DRAM은 4개의 16 기가비트 (Gigabit) 칩으로 8GB RAM이 구성 가능하며 64bit 버스와 듀얼 채널 구성시 34.1GB/s 전송속도 구현이 가능해진다. 3200/ 3733/ 4266MHz 제품이 있고 LPDDR4 대비 LPDDR4X는 전압이 낮아 전력 효율이 20% 개선된다.  SK하이닉스는 8GB 패키지 칩이 약 30% 전력 효율을 개선할 것으로 예상했으나 이용 가능 시기는 알려져 있지 않다. 마이크론이나 삼성전자는 LPDDR4X를 생산 스케쥴에 두고 있으며 미디어텍 (MediaTek) Helio P20과 퀄컴 (Qaulcomm) 스냅드래곤 835 (Snapdragon 835)는 LPDDR4X를 이용할 것으로 알려졌다.